Samsung sedang bersiap sedia untuk membuat lompatan besar dalam teknologi pembuatan semikonduktor dengan rancangan untuk memasang alat litografi EUV (ultraungu ekstrem) High-NA (apertur berangka tinggi) pertamanya. Langkah ini menandakan komitmen syarikat untuk memajukan keupayaan pengeluaran cipnya dan mengekalkan kelebihan daya saing dalam pasaran semikonduktor global.
Ketibaan Teknologi Terkini
Menurut laporan terkini, Samsung dijadualkan untuk menerima dan memulakan pemasangan sistem litografi EUV High-NA Twinscan EXE:5000 dari ASML antara Q4 2024 dan Q1 2025. Alat canggih ini, dengan apertur berangka 0.55 yang menakjubkan, mewakili kemajuan teknologi yang besar berbanding sistem EUV semasa.
 |
|---|
| Sistem litografi EUV High-NA Twinscan EXE:5000 yang baharu merupakan lompatan besar dalam teknologi pembuatan semikonduktor |
Ciri-ciri Utama dan Kelebihan
Twinscan EXE:5000 mempunyai keupayaan resolusi 8nm, peningkatan yang ketara berbanding sistem EUV Low-NA sedia ada yang maksimum pada 13nm dengan pendedahan tunggal. Peningkatan ini membolehkan:
- Transistor kira-kira 1.7 kali lebih kecil
- Ketumpatan transistor hampir tiga kali ganda
- Potensi penghapusan proses pemolaan berganda yang mahal
Kemajuan ini penting untuk pembangunan teknologi proses sub-3nm, meletakkan Samsung dalam kedudukan yang baik untuk bersaing dalam perlumbaan untuk reka bentuk cip yang lebih maju dan cekap.
Fokus Penyelidikan dan Pembangunan
Samsung merancang untuk memasang alat EUV High-NA pertama ini di kampus Hwaseong, terutamanya untuk tujuan penyelidikan dan pembangunan. Syarikat ini berhasrat untuk menjadikan sistem ini beroperasi menjelang pertengahan 2025, membolehkannya membangunkan teknologi fabrikasi generasi seterusnya untuk cip logik dan DRAM.
Pembangunan Ekosistem
Menyedari kepentingan pendekatan menyeluruh, Samsung secara aktif bekerja untuk membina ekosistem yang kukuh di sekitar teknologi EUV High-NA. Ini termasuk kerjasama dengan:
- Lasertec: Untuk membangunkan peralatan pemeriksaan untuk fotomask High-NA
- JSR: Pembuat fotoresist
- Tokyo Electron: Untuk pembangunan mesin punaran
- Synopsys: Untuk beralih ke corak melengkung pada fotomask
Perkongsian ini menunjukkan strategi holistik Samsung dalam persediaan untuk pelaksanaan komersial alat EUV High-NA, yang disasarkan secara tentatif untuk 2027.
 |
|---|
| Kerjasama adalah kunci dalam membangunkan ekosistem untuk teknologi High-NA EUV seperti yang dilihat dalam persekitaran pembuatan canggih ini |
Konteks Industri dan Persaingan
Walaupun garis masa Samsung meletakkannya kira-kira setahun di belakang Intel dalam memperoleh keupayaan EUV High-NA, ia masih meletakkan syarikat itu di hadapan pesaing seperti TSMC dan SK hynix. Langkah strategik ini penting bagi Samsung untuk mengekalkan kedudukan kompetitifnya dalam industri semikonduktor yang berkembang pesat.
Cabaran dan Pertimbangan
Penggunaan teknologi EUV High-NA datang dengan set cabaran tersendiri:
- Kos lebih tinggi: Setiap alat dianggarkan berharga antara $380 juta hingga $400 juta
- Bidang pengimejan yang dikurangkan: Memerlukan perubahan ketara dalam reka bentuk cip
- Saiz peralatan yang lebih besar: Memerlukan pemikiran semula susun atur fab
Walaupun terdapat halangan ini, potensi manfaat dari segi prestasi cip dan kecekapan pembuatan menjadikan ini pelaburan kritikal untuk masa depan Samsung dalam pengeluaran semikonduktor.
Ketika industri semikonduktor terus menolak sempadan kemungkinan dalam pembuatan cip, langkah Samsung untuk menggunakan teknologi EUV High-NA mewakili langkah penting ke arah generasi seterusnya peranti semikonduktor. Tahun-tahun akan datang akan mendedahkan betapa cepatnya Samsung dapat memanfaatkan teknologi canggih ini untuk membawa cip yang inovatif dan lebih berkuasa ke pasaran.