Industri semikonduktor sedang menyaksikan perkembangan yang berpotensi mengubah permainan seiring dengan pengumuman Harbin Institute of Technology (HIT) tentang terobosan dalam teknologi sumber cahaya Extreme Ultraviolet (EUV), yang menandai langkah signifikan dalam upaya Tiongkok mengejar kemampuan manufaktur semikonduktor tingkat lanjut.
 |
|---|
| Terobosan HIT dalam teknologi sumber cahaya EUV menandai kemajuan signifikan bagi kemampuan manufaktur semikonduktor China |
Teknologi DPP Revolusioner
HIT telah berhasil mengembangkan sumber cahaya EUV 13.5nm menggunakan teknologi Discharge-Produced Plasma (DPP), berbeda dari pendekatan tradisional Laser-Produced Plasma (LPP) yang digunakan oleh pemimpin industri Cymer. Metode inovatif ini menggunakan radiasi akselerasi partikel alih-alih teknologi lensa, menunjukkan efisiensi dan presisi yang lebih tinggi meskipun kompleksitas teknisnya meningkat.
Spesifikasi Teknologi:
- Panjang gelombang sumber cahaya: 13.5nm
- Jenis teknologi: DPP ( Discharge-Produced Plasma )
- Komponen utama: Sistem sumber cahaya, sistem lensa optik, sistem dua tahap, sistem kontrol
 |
|---|
| Mesin industri canggih ini melambangkan teknologi DPP inovatif dari HIT untuk sumber cahaya EUV 135nm |
Keunggulan Teknis
Sistem berbasis DPP yang baru ini memiliki beberapa keunggulan signifikan, termasuk efisiensi konversi energi yang tinggi, biaya operasional yang lebih rendah, dan desain yang kompak. Teknologi ini menunjukkan potensi dalam mengatasi batasan Hukum Moore sambil berpotensi mengurangi biaya keseluruhan manufaktur chip. Pengembangan sistem ini telah melewati fase pengujian utama, dengan HIT mengamankan tujuh paten inti terkait teknologi tersebut.
Investasi dan Jadwal Pengembangan
Investasi senilai 11 miliar dolar Amerika Serikat telah disetujui untuk proyek ini, dipimpin oleh anak perusahaan Harbin dari National Instruments Precision Group. Jadwal pengembangan menunjukkan kemajuan luar biasa, dengan prototipe awal diluncurkan pada 2022, diikuti oleh model kerja pada 2023, dan pengujian kritis yang berhasil pada awal 2024.
Detail Investasi:
- Total investasi: USD 11 miliar
- Organisasi utama: National Instruments Precision Group (anak perusahaan Harbin)
- Paten yang diperoleh: 7 teknologi inti
Dampak Industri dan Prospek Masa Depan
Meskipun terobosan ini merupakan langkah maju yang signifikan, para ahli industri mencatat bahwa masih ada beberapa tantangan sebelum komersialisasi penuh. Ini termasuk peningkatan stabilitas sumber cahaya, optimalisasi sistem, dan adaptasi komersial. Menurut analis industri, peralatan litografi EUV domestik mungkin tersedia antara 2026 dan 2028, berpotensi membentuk kembali lanskap kompetitif industri semikonduktor global.
Jadwal Pengembangan:
- 2022: Prototipe awal
- 2023: Penyelesaian model kerja
- 2024: Fase pengujian kritis berhasil dilalui
- 2026-2028: Perkiraan ketersediaan komersial
Implikasi Pasar
Pengembangan ini dapat memiliki implikasi luas bagi perusahaan seperti SMIC, yang saat ini menghadapi pembatasan akses peralatan manufaktur semikonduktor tingkat lanjut. Keberhasilan dalam mengembangkan teknologi EUV domestik dapat memungkinkan produsen semikonduktor Tiongkok untuk mengatasi hambatan teknologi saat ini dan bersaing lebih efektif di pasar global.