SanDisk Memperkenalkan Memori HBF Revolusioner: Kapasitas VRAM 4TB dengan Performa Setara HBM

BigGo Editorial Team
SanDisk Memperkenalkan Memori HBF Revolusioner: Kapasitas VRAM 4TB dengan Performa Setara HBM

Dalam terobosan penting untuk teknologi memori, SanDisk telah memperkenalkan High-Bandwidth Flash (HBF), sebuah inovasi revolusioner yang menjembatani kesenjangan antara penyimpanan NAND tradisional dan memori berkinerja tinggi. Pengembangan ini hadir di saat yang krusial ketika aplikasi AI membutuhkan kapasitas memori berkecepatan tinggi yang belum pernah terjadi sebelumnya.

Arsitektur Revolusioner

Teknologi HBF dari SanDisk merepresentasikan perubahan fundamental dalam desain memori, menggabungkan kemampuan penyimpanan besar dari 3D NAND dengan bandwidth yang sebanding dengan High Bandwidth Memory (HBM). Arsitektur ini menggunakan teknik penumpukan canggih yang dapat menampung 16 die inti HBF yang saling terhubung melalui silicon vias (TSV), semuanya dibangun di atas die logika khusus. Pendekatan unik ini memungkinkan akses paralel ke beberapa sub-array flash, memberikan bandwidth luar biasa sambil mempertahankan keunggulan biaya NAND.

Diagram detail dari tumpukan High Bandwidth Flash (HBF) yang memperlihatkan arsitektur dan komponen canggihnya
Diagram detail dari tumpukan High Bandwidth Flash (HBF) yang memperlihatkan arsitektur dan komponen canggihnya

Kapasitas yang Belum Pernah Ada Sebelumnya

Generasi pertama HBF menunjukkan kemampuan luar biasa, mendukung hingga kapasitas VRAM 4TB ketika dikonfigurasi dengan delapan tumpukan. Setiap tumpukan menyimpan 512GB memori, jauh melampaui solusi HBM3E saat ini yang biasanya menawarkan 24GB per tumpukan. Ini menunjukkan peningkatan kapasitas 21 kali lipat, yang berpotensi merevolusi cara pemrosesan aplikasi AI yang intensif data.

Spesifikasi Utama:

  • Konfigurasi Tumpukan: 16 die inti HBF per tumpukan
  • Kapasitas Maksimum: 4TB (menggunakan 8 tumpukan)
  • Kapasitas Tumpukan Individual: 512GB
  • Kapasitas Die Inti: 256Gb per die
  • Kapasitas Komparatif: 21 kali lebih besar dari HBM3E (24GB) per tumpukan

Kinerja dan Implementasi

Meskipun SanDisk belum mengungkapkan angka bandwidth spesifik, perusahaan mengklaim HBF akan menyamai bandwidth HBM sambil memberikan kapasitas 8 hingga 16 kali lebih besar dengan biaya yang serupa. Teknologi ini menggunakan antarmuka listrik yang mirip dengan HBM, meskipun memerlukan beberapa modifikasi protokol untuk perangkat host. Pilihan desain strategis ini dapat memfasilitasi adopsi yang lebih mudah oleh produsen perangkat keras.

Posisi Pasar dan Aplikasi Masa Depan

SanDisk memposisikan HBF terutama untuk beban kerja inferensi AI di mana throughput dan kapasitas tinggi lebih penting daripada latensi ultra-rendah yang disediakan oleh solusi DRAM tradisional. Perusahaan membayangkan spektrum aplikasi yang lebih luas, termasuk potensi implementasi dalam perangkat konsumen seperti smartphone. Untuk mendorong adopsi yang luas, SanDisk sedang bekerja untuk menetapkan HBF sebagai standar terbuka dan membentuk dewan penasihat teknis dengan mitra industri.

Tantangan Teknis

Meskipun menjanjikan, HBF menghadapi beberapa hambatan teknis. Teknologi ini harus mengatasi keterbatasan ketahanan penulisan NAND dan kendala pengalamatan berbasis blok. SanDisk telah menguraikan peta jalan pengembangan tiga generasi, menunjukkan komitmen jangka panjang untuk menyelesaikan tantangan ini dan memajukan kemampuan teknologi.

Representasi visual dari peta jalan HBF yang merinci perencanaan peningkatan kapasitas, bandwidth baca, dan efisiensi energi antar generasi
Representasi visual dari peta jalan HBF yang merinci perencanaan peningkatan kapasitas, bandwidth baca, dan efisiensi energi antar generasi